晶圆硅片激光钻孔打孔来图定制

联系人:张经理 传统机械加工硅片的劣势： 传统硅片切割方式是机械切割，速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料，机械切割极易使边缘产生破裂，造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤，甚至可能造成隐形裂纹，影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势； 1.激光切割、划片是非机械式的，属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。 2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小，可以提高更高的切割成品率。 3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。 4.激光可以切割厚度较薄的晶圆，可以胜任不同厚度的晶圆划片。 5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等。 6.激光切割不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，可连续24小时作业。 7.激光具有很好的兼容性，对于不同的晶圆片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。 激光隐形切割作为激光切割晶圆的一种方案，很好的避免了砂轮划片存在的问题。激光隐形切割是通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形，让其透过材料表面在材料内部聚焦，在焦点区域能量密度较高，形成多光子吸收非线性吸收效应，使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用，形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏，材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式，将产品充分分开，并使得芯片与芯片之间产生间隙。这样的加工方式避免了机械的直接接触和纯水的冲洗造成的破坏。目前激光隐形切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅以及多种化合物半导体晶圆。 超薄硅片打孔是一项非常精细的工序，因为硅片较薄，打孔的时候不能损坏其表面的精度，打孔的密度、孔径大小需要达到一定的精度以及所要求的大小。 激光打孔是将光斑直径缩小到微米级，从而获得高的激光功率密度，几乎可以在任何材料实行激光打孔。其特点是可以在硬度高、质地脆或者软的材料上打孔，孔径小、加工速度快、效率高。 超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm); 随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。 因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂 晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆便是硅元素加以纯化，接着将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，再经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解后拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。